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摘要: CT81型军用高压瓷介电容器CT81型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.CT81型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4-118。②电容器试验电压:→般为1.5倍额定电压(+500V),外包封层耐压为1.5kV(直流)。③绝缘电阻:>=1x1011Ω。④损耗角正切:<=200x10-4。①使用环
CT81 型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图4-77所示.
CT81 型军用高压瓷介电容器主要特性参数如下:
①电容器的标称容量、额定电压与外形尺寸见表4- 118。
②电容器试验电压:→般为1. 5 倍额定电压( +500V) ,外包封层耐压为1.5kV (直流)。
③绝缘电阻:>=1x10 11Ω。
④损耗角正切:<=200 x 10 - 4 。
①使用环境温度: 2XI温度特性, - 55℃ ~ +125℃; 2X2 、2D2 、2E2 温度特性,55 ℃ ~ + 85℃; 2X3 、2D3 、2DE 温度特性,-40℃ ~ +85℃。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |