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三星今年将推"相变内存" 取代手机闪存卡

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:261

标签:

摘要: 三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM),旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。  相变内存由相变材料制成,通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比,相变内存存储数据时更加省电,预计可延长电池续航时间20%。  在速度方面,相变内存的优势更加明显,其存取数据的速度比闪存快9倍。三星表示,相变内存模块预计于今年晚些时候下线,最初的容量为512MB。三星预计,对于多种电子产品,相变内存最

三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM),旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。  相变内存由相变材料制成,通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比,相变内存存储数据时更加省电,预计可延长电池续航时间20%。  在速度方面,相变内存的优势更加明显,其存取数据的速度比闪存快9倍。三星表示,相变内存模块预计于今年晚些时候下线,最初的容量为512MB。三星预计,对于多种电子产品,相变内存最
型号 厂商 价格
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STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
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