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摘要: DRAM内存价格虽然有所回落,但整体仍然处于较高水准,三星电子、SK海力士、美光都赚得盆满钵满,原本计划是扩充产能来满足市场供应,但三大巨头为了维持紧张局面,已放缓扩充产能计划。再此情况下,内存大降价梦已碎。
DRAM内存价格虽然有所回落,但整体仍然处于较高水准,三星电子、SK海力士、美光都赚得盆满钵满,原本计划是扩充产能来满足市场供应,但三大巨头为了维持紧张局面,已放缓扩充产能计划。再此情况下,内存大降价梦已碎。
然而,NAND闪存和固态硬盘迎来了好消息,据爆料,不少240/256GB SSD已经降到了200元档,折合起来平均每GB还不到1元钱,比上年降了几乎一半。已经是装机必备了,而更大容量的480/512GB也在加速普及。
作为国内最大的闪存设备制造商之一,深圳江波龙创始人兼董事长蔡华波透露,NAND闪存当前的价格已经来到了非常“健康”的水平,使得SSD越来越便宜,并加速了SSD在笔记本和其他消费级设备中的普及。
2018年NAND Flash市场行情之所以会大反转,除了受到传统淡季的冲击以外,三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等厂商64层/72层3D NAND相继大规模量产,笔记本、智能手机市场也处于饱和状态,需求增长有限,导致NAND Flash市场供应略显过剩,使得2018上半年NAND Flash价格持续下滑。
随着3D NAND技术的快速发展,性价比更高,采用QLC颗粒的产品已经陆续出现。并且随着3D NAND单颗Die容量不断翻倍增长,这也将推动消费类SSD向4TB迈进,企业级SSD向8TB升级,QLC SSD将完成TLC SSD未完成的任务,逐渐取代机械硬盘。
2017年,内存卡厂家江波龙更是从美光手里买下了著名存储品牌雷克沙,现已开始在国内销售雷克沙品牌的SSD,将力争在国内乃至全球成为TOP3零售存储品牌。内存卡厂家江波龙今年还计划推出更多DRAM内存产品。
RC电路
RC电路,全称电阻-电容电路(英语:Resistor-Capacitance circuit),一次RC电路由一个电阻器和一个电容器组成。按电阻电容排布,可分为RC串联电路和RC并联电路;单纯RC并联不能谐振,因为电阻不储能,LC并联可以谐振。RC电路广泛应用于模拟电路、脉冲数字电路中,RC并联电路如果串联在电路中有衰减低频信号的作用,如果并联在电路中有衰减高频信号的作用,也就是滤波的作用。
工作原理
先从数学上最简单的情形来看RC电路的特性。假定RC电路接在一个电压值为的直流电源上很长的时间了,电容上的电压已与电源相等(关于充电的过程在后面讲解),在某时刻突然将电阻左端S接地,电容上进入了放电状态。理论分析时,将时刻取作时间的零点。
可以看出电容上电压衰减的快慢取决于指数中的大小,其大小仅取决于电路结构与元件的参数。
当电阻的单位是Ω,电容的单位是F时,乘积RC的单位为秒(s),用表示。
则电容电压可记为
当t =4t时 ,电容电压已经很小,一般认为电路进入稳态。时间常数是电容上电压下降到初始值的1/e=36.8% 经历的时间。
以上称为RC一阶电路的零输入响应。
分类
(1)RC 串联电路
电路的特点:由于有电容存在不能流过直流电流,电阻和电容都对电流存在阻碍作用,其总阻抗由电阻和容抗确定,总阻抗随频率变化而变化。RC 串联有一个转折频率: f0=1/2πR1C1 当输入信号频率大于 f0 时,整个 RC 串联电路总的阻抗基本不变了,其大小等于 R1。
(2)RC?并联电路
RC 并联电路既可通过直流又可通过交流信号。它和 RC 串联电路有着同样的转折频率:f0=1/2πR1C1。 当输入信号频率小于f0时,信号相对电路为直流,电路的总阻抗等于 R1;当输入信号频率大于f0 时 C1 的容抗相对很小,总阻抗为电阻阻值并上电容容抗。当频率高到一定程度后总阻抗为 0。
(3)RC 串并联电路
RC 串并联电路存在两个转折频率f01 和 f02: f01=1/2πR2C1, f02=1/2πC1*
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |