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近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代Intel Atom 22nm SoC多核处理器，该器件比其他采用平面晶体管工艺的竞争处理器，在性能和能效方面都有很大的提升，具有业界领先的每瓦性能效率近日，贸泽电子（以下简称“Mouser”）宣布推出新一代Intel Atom 22nm SoC多核处理器，该器件是具有 USB 3.0 和图形支持的 Intel Atom 22nm
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03-23
下面是 [超力牌RC RS RF-9728A RC RS RF-9790A封闭式电热水器电路]的电路图 超力牌RC RS RF-9728A RC RS RF-9790A封闭式电热水器电路图(责任编辑：
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1538 08-10
RC文氏电桥振荡器的电路如图1所示，RC串并联网络是正反馈网络，由运算放大器、R3和R4负反馈网络构成放大电路。 C1R1和C2R2支路是正反馈网络，R3R4支路是负反馈网络。图1 RC文氏电桥振荡器 RC串并联选频网络的选频特性 RC串并联网络的电路如图2所示。RC串联臂的阻抗用Z1表示，RC并联臂的阻抗用Z2表示。 图2 RC串
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6971 08-10
据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构消息来源还称Intel“很快就会”对外公开展示一款基于这种22nm制程的处理器实物。不过记者询问Intel发言人后得到的答复则是:"我们不会对流言或猜测进行评论。" 尽管早在2009年In
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509 08-10
;;; RC电路也可以构成选频电路，图6-77是采用RC选频电路的振荡器，LHLH1500AT这是一个由两只三极管构成的振荡器电路，VT1和VT2构成两级共发射极放大器电路，R2、Cl、Rl和C2构成RC;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;; ;;; 图6-77 RC选频电路振荡器;;; 1．RC选频电路选频原理;;; RC选频电路由R2和Cl串联电路、Rl和
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444 08-10
美国IBM和美国罗门哈斯（RohmandHaas）将共同开发面向32～22nm工艺LSI的CMP（化学机械研磨）技术（英文发布资料，日文发布资料）。主要用于32～22nm工艺下的Cu/低介电率（low-k）绝缘膜的平坦化所需衬垫（Pad）、浆液(Slurry)及调节器(Conditioner)间的相互控制。 此次共同开发将在以下地点进行：IBM
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287 08-10
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供应新一代具有 USB 3.0 和图形支持的 Intel® Atom™ 22nm 64 位多核处理器，该处理器旨在用于从智能手机到智能嵌入式系统的高性能低功耗应用Mouser供应的该新型 Intel Atom 22nm SoC 处理器采用 Intel 的Tri-Gate CMOS工艺制造。此下一代 Atom
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344 08-10
据国外媒体报道，Intel的工程师目前正在设计的22nm工艺的CPU，即使这听起来就像是非常遥远的未来，但我们完全可以在2011年见到首款22nm的处理器，当然这是建立在Intel能够在此之前把所有研发过程中出现问题都解决掉在2011年，32nmSandyBridge将得到22nm“tick”
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1156 08-10
GlobalFoundries公司表示，其设在德国德累斯顿的Fab1工厂将负责22nm制程工艺的开发、试产以及部分前期量产。不过目前还不清楚 GlobalFoundries的22nm制程会不会放弃原有在28/32nm制程产品上使用的Gate-first HKMG工艺，改用新的工艺进行制作。
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432 08-10
intel首批将会推出4款22nm atom处理器，型号分别是z3770、z3770d、z3740以及z3740d（i7-3770是不是该哭了？）
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362 08-10
（MII）称Toshiba Corp.在22nm节点CMOS工艺中成功使用了该公司供应的Imprio 250纳米压印光刻系统。尽管如此，Toshiba是否会将纳米压印光刻设备用于22nm及以下节点的量产还不得而知。该节点上Toshiba也在探索其他的光刻技术，如193n
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424 08-10
